在辉光放电的低温等离子体内，"电子气"的温度约比普通气体分子的平均温度高10~100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在较低的温度下即可进行。所产生的活化分子、原子基团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。人们把这种过程称为等离子增强的化学气相沉积（ PACVD 或 PECVD )，简称为等离子体化学气相沉积。
        等离子体内的处于活化状态的原子、分子、基团，能量较高，易于发生化学反应，从而大幅降低依靠热激发时的温度要求，使得薄膜沉积在低温下即可进行。而这种低温成膜条件对于 Si 基集成电路和电子元器件制作是至关重要的。比如，利用 PECVD 可在常温至
350℃条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。此外，对于耐热性较差的许多基片（如低熔点玻璃、聚酰亚胺膜等）而言， PECVD 所需的低温也有明显的优势，所以近年来在太阳能电池、液晶平板显示器等器件方面得到广泛的应用。
       低压气体放电产生等离子体，可以有不同的激发方式，如热电子激发、电容耦合的二级放电、磁控放电、电感耦合放电以及产生高密度等离子体的微波激发的电子回旋共振( ECR ）等方式。一种电容耦合的多片同时处理的 PECVD 装置。