与其他薄膜沉积方法相比较，溅射沉积技术具有以下特点。
    (1）任何材料都能采用溅射镀膜，而且不同材料溅射特性的差别远不如蒸发特性的差别大，对于合金、化合物材料易制得化学计量比相近或相同的薄膜。由于溅射过程属于动量传递过程，与材料的熔点高低没有太大关系，因此，难熔材料也可以在低温下进行沉积。
    (2）被溅射出来的粒子能量高达几个至十几个电子伏特，比真空蒸镀的粒子能量(0.2~0.3eV）高得多，溅射粒子到达基片后尚有较高的动量，所以能够在基板表面上迁移，因而其成膜致密，与基体结合牢固。这些粒子的轰击对底层结构有一定的破坏作用，在有些情况下，该方法并不适用。
    (3）溅射镀膜容易控制膜的成分，通过直接溅射和反应溅射，可以制备大面积均匀的各
种合金膜、化合物膜、多层膜和复合膜。
    (4）由于溅射镀膜时其工作气压在10-2~10Pa范围，所以溅射粒子在飞往基底前往往会与真空室内的工作气体分子发生碰撞，其运动方向随机偏离原来的方向；而且溅射粒子一般是从较大靶表面积中射出的，因而溅射镀膜比真空镀膜的薄膜厚度分布更为均匀。
    (5）由于溅射时要使用高电压使气体放电，所以装置比较复杂，价格较高，而且除磁控溅射外，一般沉积效率都较低。但是溅射镀膜操作简单，工艺重复性好，易实现工艺控制自动化。溅射镀膜比较适宜于大规模集成电路、磁盘、光盘等高技术产品的连续生产。