氧化锌（ ZnO ）属 II - VI 族宽禁带、直接带隙化合物半导体材料，熔点为1975℃。氧化锌晶体有三种结构：六方纤锌矿结构、立方闪锌矿结构以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。纤锌矿结构在三者中稳定性最高，是最常见的氧化锌结构。
      在室温下，氧化锌的能带隙约为3.37 eV ，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。
      没有掺杂的氧化锌具有 n 型半导体的特征。使用铝、镓、钢等第主族元素或氯、碘等卤素可以使它成为 n 型半导体。从理论上讲，添加锂、钠、钾等碱金属元素，氮、磷、砷等第 V 主族元素和铜、银等金属，能使氧化锌成为 p 型半导体，但实际获得 p 型氧化锌有较大的难度。经过不断的努力，近年来这方面已取得较大进展。研究表明，通过 ZnO 与 MgO 或 BeO 形成 MgZnO 或 BeZnO 合金，可增大 ZnO 的禁带宽度；通过 ZnO 与 CdO 形成 CdZnO 合金来减小 ZnO 的禁带宽度，从而在保持单一纤锌矿结构的情况下，使氧化锌的室温禁带宽度在1.8~10.6eV范围内可调节。
     ZnO 是一种重要的直接宽带隙半导体无机材料， ZnO 由于具有3.37eV的宽直接禁带和60meV的高激子束缚能，被认为是制备室温或高温蓝光或紫外光发光二极管以及激光二极管的理想材料。