SiC 具有非常高的热稳定性和化学稳定性。在任何合理的温度下，其体内的杂质扩散都几乎不存在。室温下，它能抵抗任何已知的酸性蚀刻剂，这些性质使 SiC 器件可以在高温下保持可靠性，并且能在苛刻的或腐蚀性的环境中正常工作。表8.6.1中给出了几种常见的 SiC 同型异构体与 Si 、 GaAs 等材料的性能参数，从表中可以看出， SiC 的禁带宽度为 Si 的2~3倍，热导率约为 Si 的4.4倍，临界击穿电场约为 Si 的8倍，电子的饱和漂移速度为 Si 的2倍。 SiC 的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，用它制作的器件和电路可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境检测及航空、航天、雷达、通信系统及汽车马达等领域的极端环境中。
       碳化硅是第一个观察到强电场发光的半导体；并且碳化硅蓝光发光二极管早已实现了商品化。碳化硅为间接带隙材料，碳化硅 LED 不能像氮化镓、磷化镓 LED 那样有效发光，因此人们竞相研究能提高碳化硅发光效率的方法，其中包括非晶碳化硅、多孔单晶碳化硅、用 CVD 方法制备的纳米碳化硅和用离子注入方法制备的多孔碳化硅。目前研制的纳米结构的碳化硅材料已能有效发射蓝光。 SiC 的 LED 可以覆盖从蓝光到紫外的波段，用于光信息显示系统及光集成电路等领域中。