碳化硅（ SiC ）的电阻率介于金属和半导体之间，属于杂质型半导体。碳化硅材料不仅吸波效能好，还能减弱红外信号，而且具有耐高温、相对密度小、韧性好、强度大、电阻率高等特性。碳化硅吸波材料主要有碳化硅粉和碳化硅纤维，其中碳化硅纤维应用较多。
碳化硅吸波材料的损耗机理较为复杂，一般认为是多种损耗机制的共同作用。在不同条件下（如热处理、晶粒大小、形貌以及掺杂等），碳化硅的损耗机制可能不同；在通常情况下，碳化硅的损耗机制以介电极化为主。
       目前，碳化硅吸波材料的应用形式多以碳化硅纤维为主。这种吸波材料在强度、耐热和耐化学腐蚀方面的性能较好，并且能得到满意的宽频带吸收性能。碳化硅纤维的电阻率可在10-3~10Ω. m 范围内变化。常规制备的碳化硅纤维电阻率太高，要通过改性（如采用表面改性、掺杂、高温处理等方法）来调整其电阻率，进一步提高吸波性能。制备碳化硅纤维时，在先驱体中加入具有良好导电性或磁性的物质（如沥青和磁性金属微粒）或有机金属化合物，均可以调节碳化硅纤维的电磁参数，提高其电磁损耗和吸波性能。高温处理碳化硅纤维，使其析出更多的游离碳，可以大大降低 SiC 纤维的电阻率，增强吸收性能。此外、与圆形截面碳化硅纤维相比，异形截面碳化硅纤维的力学性能、纤维与基体的复合性能等都有较大的改善，且具有良好的吸波性能。碳化硅纤维也是一种耐高温的吸波材料。
       碳化硅是制作多波段吸波材料的主要成分，通过它能实现轻质、薄层、宽频带和多频段吸收的目的，应用前景广阔。