在电子设备系统中,元器件与集成电路是其中的关键,为了保证电子设备系统的先进性和高可靠性,高性能和高质量的元器件与电路是必不可少的;而这些高质量、高性能的元器件,必须由优质的电子材料来保证。生产与科研不断向元器件提出更高性能、更高的可靠性等要求,这就成为促使电子材料的开发研制的动力。而一旦出现某种新型先进的电子材料，可能使电子元器件迅猛发展,并带来社会的进步。
半导体材料锗、硅和砷化镓的出现,带来的半导体器件、集成电路的迅猛发展,并促使人类进入信息社会,是一个众所周知的例子。
无源元件电阻器的发展也是如此。如每当出现一种新的电阻材料,接着就出现一种新型的电阻器。早期的电阻是由炭黑、石墨和树脂混合后压制成的实芯电阻器。这种电阻器耐热性能差,精度不高,满足不了电子设备对大功率和耐高温的要求。因此当研制出一种耐热和阻值精度方面比实芯电阻高的合金电阻材料后,就出现了线绕电阻器。线绕电阻器虽然在耐热和阻值精度方面比实芯电阻有了明显的提高,但其阻值不能做得很高。于是又研制出阻值范围大、精度高、稳定性好的碳膜和金属膜电阻材料,出现了碳膜和金属膜电阻器。此后为了进一步提高工件温度,研制出金属氧化膜和硅碳膜电阻材料。为了减轻元件的重量,缩小尺寸,又研制出一些新型薄膜和厚膜电阻材料,从而开发出高集成化薄膜电阻器和片式电阻器。
     在电容器、磁性器件、光电器件等方面也有十分类似的情况。